内容简介

本书主要介绍辐射效应对纳米 CMOS 器件及其电路的影响，涵盖了各种辐射环境分析、电离损伤机理研究、纳米器件的总剂量效应和单粒子效应的建模仿真、辐射效应对纳米CMOS 电路的影响等内容，综合考虑了器件特征尺寸缩减对辐射效应的影响，给出了纳电子器件及其电路的辐射效应的分析方法和思路。此外，本书还讨论了高k 栅介质对纳米CMOS 器件的辐射效应的影响、新兴纳米 FinFET 及纳米线的辐射效应、器件级加固技术，给出了单粒子串扰的建模方法及数字电路在单粒子效应下的软错误率评估方法。

本书既适用于微纳电子学、航天电子、核与空间辐射、半导体物理和电子器件、其他辐射效应建模与应用等领域的科研人员和研究生，又适用于对纳米 CMOS 器件进行建模和数值计算感兴趣的研究人员或学生。