习题

1-1 填空题

（1）本征半导体种载流子为__________和__________。当温度升高后，其载流子的数目__________。

（2）在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于__________，而少数载流子的浓度与__________关系十分密切。

（3）N型杂质半导体中，多数载流子是__________，少数载流子是__________。

（4）随着温度的升高，在杂质半导体中，少数载流子的浓度__________，而多数载流子的浓度__________。（明显增大，明显减小，变化较小）

（5）PN结中扩散电流方向是__________，漂移电流方向是__________。

（6）已知温度为15℃时，PN结的反向饱和电流I_S=10μA。当温度为35℃时，该PN结的反向饱和电流I_S大约为__________。

（7）当温度升高时，二极管的正向电压__________，反向电流__________。

（8）常用小功率直流稳压电源由__________、__________、__________和__________四部分组成。

（9）稳压二极管的稳压区是其工作在__________状态。

（10）双极型晶体管的发射极电流放大系数β反映了__________极电流对__________极电流的控制能力；而单极型场效应晶体管常用跨导反映__________对__________的控制能力。

（11）测得某NPN型晶体管的三个电极电位分别为U_B=0.7V，U_E=0V，U_C=6V，则可判断该晶体管的工作状态为__________。

（12）已知某N沟道增强型MOS场效应晶体管的U_GS（th）=4 V，u_GS=3 V，u_DS=10 V，则晶体工作在__________区。

1-2 理想二极管组成的电路如图1-42所示。试判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压。

1-3 二极管组成的电路及其相应输入电压波形如图1-43所示。已知VD₁、VD₂的导通电压为0.7 V，试分别画出它们的输出电压波形。

1-4 图1-44所示电路中，稳压二极管VZ的稳定电压值U_Z=8 V，最小稳定电流I_Zmin=5 mA，最大稳定电流I_Zmax=20 mA。分析U_I分别为10 V和30 V时，VZ的状态以及输出电压U_o的值。

1-5 在晶体管放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的静态电位分别为5V、1 V、1.3 V。试判断电极①、②、③的名称以及晶体管的类型（NPN、PNP、硅、锗）。

1-6 在晶体管放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的输入电流分别为-1.22 mA、0.02 mA、1.2 mA。由此判断电极①、②、③的名称，并计算该晶体管的共射电流放大系数。

1-7 图1-45所示电路中，U_CC=12 V，R_C=3 kΩ，晶体管β=100，导通电压降U_BE=0.7 V。现已测得在电路放大状态下，静态管压降U_CE=6 V，估算R_B的取值；若晶体管饱和电压降U_CES≈0 V，欲使晶体管饱和，求出R_B的取值范围。

1-8 在图1-46a所示电路中，假设R_B和R_C保证晶体管工作在饱和或截止两种状态，饱和管压降忽略不计。当输入信号U_I输入图1-46b所示的电压波形时（电压为0 V或5 V），通过分析该电路，试画出输出U_O的电压波形，并指出电路功能。

1-9两只MOSFET输出特性如图1-47所示，分析图1-47a和图1-47b两个晶体管的类型、开启电压与夹断电压。

1-10 增强型MOS管电路如图1-48所示，逐渐增加U_DD时，R_d两端电压也不断增大；U_DD≥18 V后，R_d电压固定为15 V，试求该晶体管的U_GS（th）和I_DO。