3.5　本章小结

（1）使用升压法即在第二步阳极氧化结束后升高电压到120V并持续4min能成功地制备两端开口的无衬底TiO2纳米管阵列薄膜。制得的TiO2纳米管阵列薄膜形状规则，无缺陷。底部开口的TiO2纳米管形状呈现为一个被削去顶部的圆锥体，这是由于在强电场力作用下导致的F-离子运动聚集，加强了对底部TiO2的腐蚀形成。

（2）两端开口的无衬底TiO2纳米管阵列薄膜在450℃热处理后由非晶态转变为锐钛矿结构，无金红石结构出现。