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2.3 电容

2.3.1 什么叫电容?

电容亦称作“电容量”,是指在给定电位差下的电荷储藏量,记为C,国际单位是法拉(F)。一般来说,电荷在电场中会受力而移动,当导体之间有了介质,则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上,造成电荷的累积储存,储存的电荷量则称为电容(图2-3-1)。

图2-3-1 电容

电容是指容纳电荷的能力。任何静电场都是由许多个电容组成,有静电场就有电容,电容是用静电场描述的。一般认为:孤立导体与无穷远处构成电容,导体接地等效于接到无穷远处,并与大地连接成整体。

电容(或称电容量)是表现电容器容纳电荷本领的物理量。电容从物理学上讲,它是一种静态电荷存储介质,可能电荷会永久存在,这是它的特征。它的用途较广,是电子、电力领域中不可缺少的电子元件。主要用于电源滤波、信号滤波、信号耦合、谐振、滤波、补偿、充放电、储能、隔直流等电路中。

2.3.2 电容的单位之间如何进行转换?

在国际单位制里,电容的单位是法拉,简称法,符号是F,由于法拉这个单位太大,所以常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)等,换算关系是:

1法拉(F)=103毫法(mF)=106微法(μF)=109纳法(nF)=1012皮法(pF)

电容与电池容量的关系:

1V·A·h=1W·h=3600J

W=0.5CUU

2.3.3 电容的计算公式

一个电容器,如果带1库的电量时两级间的电势差是1V,这个电容器的电容就是1F,即:C=Q/U。但电容的大小不是由Q(带电量)或U(电压)决定的,即电容的决定式为:C=εS/4πkd。其中,ε是一个常数,S为电容极板的正对面积,d为电容极板的距离,k则是静电力常量。常见的平行板电容器,电容为C=εS/dε为极板间介质的介电常数,S为极板面积,d为极板间的距离)。

定义式:

电容器的电势能计算公式:E=CU2/2=QU/2=Q2/2C

多电容器并联计算公式:C=C1+C2+C3+…+Cn

多电容器串联计算公式:1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn

三电容器串联:C=(C1·C2·C3)/(C1·C2+C2·C3+C1·C3

2.3.4 电容的作用

(1)旁路 旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件,它能使稳压器的输出均匀化,降低负载需求。就像小型可充电电池一样,旁路电容能够被充电,并向器件进行放电。为尽量减少阻抗,旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大导致的地电位抬高和噪声。地电位是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。

(2)去耦 又称解耦。从电路来说,总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大,驱动电路要把电容充电、放电,才能完成信号的跳变,在上升沿比较陡峭的时候,电流比较大,这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流。由于电路中的电感(特别是芯片管脚上的电感),电阻会产生反弹,这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声,会影响前级的正常工作,这就是所谓的“耦合”。

去耦电容就是起到一个“电池”的作用,满足驱动电路电流的变化,避免相互间的耦合干扰,在电路中进一步减小电源与参考地之间的高频干扰阻抗。

将旁路电容和去耦电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去耦合的,只是旁路电容一般是指高频旁路,也就是给高频的开关噪声提供一条低阻抗泄放途径。高频旁路电容一般比较小,根据谐振频率一般取0.1μF、0.01μF等。而去耦合电容的容量一般较大,可能是10μF或者更大,依据电路中分布参数以及驱动电流的变化大小来确定。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象,而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象,防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。

(3)滤波 从理论上(即假设电容为纯电容)说,电容越大,阻抗越小,通过的频率也越高。但实际上超过1μF的电容大多为电解电容,有很大的电感成份,所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容,这时大电容滤低频,小电容滤高频。电容的作用就是通交流隔直流,通高频阻低频。电容越大高频越容易通过。具体用在滤波中,大电容(1000μF)滤低频,小电容(20pF)滤高频。曾有人形象地将滤波电容比作“水塘”。电容的两端电压不会突变,由此可知,信号频率越高则衰减越大,可很形象地说电容像个水塘,不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化,频率越高,峰值电流就越大,从而缓冲了电压。滤波就是充电、放电的过程。

(4)储能 储能型电容通过整流器收集电荷,并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40~450V(DC)、电容值在220~150000μF之间的铝电解电容是较为常用的。根据不同的电源要求,储能型电容有时会采用串联、并联或其组合的形式,对于功率级超过10kW的电源,通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容。

2.3.5 电容的检测

用数字万用表检测电容器,可按以下方法进行。

(1)用电容挡直接检测 某些数字万用表具有测量电容的功能,其量程分为2000p、20n、200n、2μ和20μ五挡。测量时可将已放电的电容两引脚直接插入表板上的Cx插孔,选取适当的量程后就可读取显示数据。

2000p挡,宜于测量小于2000pF的电容;20n挡,宜于测量2000pF至20nF之间的电容;200n挡,宜于测量20nF至200nF之间的电容;2μ挡,宜于测量200nF至2μF之间的电容;20μ挡,宜于测量2μF至20μF之间的电容。

经验证明,有些型号的数字万用表(例如DT890B+)在测量50pF以下的小容量电容时误差较大,测量20pF以下电容时几乎没有参考价值。此时可采用串联法测量小值电容。方法是:先找一只220pF左右的电容,用数字万用表测出其实际容量C1,然后把待测小电容与之并联测出其总容量C2,则两者之差(C1-C2)即是待测小电容的容量。用此法测量1~20pF的小容量电容很准确。

(2)用电阻挡检测 实践证明,利用数字万用表也可观察电容的充电过程,这实际上是以离散的数字量反映充电电压的变化情况。设数字万用表的测量速率为n次/秒,则在观察电容的充电过程中,每秒钟即可看到n个彼此独立且依次增大的读数。根据数字万用表的这一显示特点,可以检测电容的好坏和估测电容量的大小。下面介绍的是使用数字万用表电阻挡检测电容的方法,对于未设置电容挡的仪表很有实用价值。此方法适用于测量0.1至几千微法的大容量电容。

(3)用电压挡检测 用数字万用表直流电压挡检测电容,实际上是一种间接测量法,此法可测量220pF至1μF的小容量电容,并且能精确测出电容漏电流的大小。