第3章 挠性高密度封装基板材料

有机封装基板按照刚韧性可分为刚性封装基板和挠性封装基板两大类。其中，刚性封装基板不能弯曲变形；挠性封装基板是在高耐热聚合物薄膜上通过通孔、电镀、布线形成的，具有一定的弯曲性［1-4］。随着电子封装器件向着薄型化、小型化及布线电路微细化方向的快速发展，人们对挠性封装基板的需求量越来越大、对性能要求越来越高。在IC电路封装中，μBGA、D2BGA、T-BGA、T-CSP等都采用了挠性封装基板。挠性封装基板的制备过程是先将聚合物薄膜与铜箔在高温下通过层压或辊压形成聚合物薄膜覆铜板，然后经过通孔、电镀、曝光、刻蚀形成布线图形和焊盘，通常呈带状或薄片状，可随意卷绕成轴状而不会使金属导体布线或介质薄膜开裂。

挠性IC封装基板对导电铜箔挠曲度要求比刚性封装基板高，通常选用高延展性电解铜箔或压延铜箔［5-6］。在一般情况下，压延铜箔比电解铜箔具有更好的耐折曲性和延展性，但价格比电解铜箔高。例如，厚度为35μm压延铜箔的售价比厚度为35μm电解铜箔的售价高2倍。随着电解铜箔制造技术的不断提高，电解铜箔的耐折曲性和延展性也得到明显加强。例如，低轮廓的电解铜箔的延展性甚至可以超过压延铜箔。更重要的是，电解铜箔的厚度可以很薄，适合制造更微细的电路图形。厚度为12μm和9μm的超薄级电解铜箔已经在封装基板中获得实际应用。另外，近年来还出现了直接在聚酰亚胺薄膜表面采用离子注入或真空蒸镀+电镀制造超薄超低轮廓挠性覆铜板的技术。该技术不再使用铜箔，也无须在薄膜表面涂敷黏结层，为挠性封装基板提供了一种新型挠性覆铜板，在挠性封装基板制作过程中可先形成通孔，然后形成金属导电层，可明显降低挠性封装基板的制造成本。