参考文献

[1]QUIRK M，SERDA J.半导体制造技术[M].韩郑生，等译.北京：电子工业出版社，2015.

[2]ITRS2.0 Publication [EB/OL].[2017-07-24].http://www.itrs2.net/itrs-reports.html.

[3]XIAO D Y，CHEN G，LEE R，et al.System and method for integrated circuits with cylindrical gate structures：US，884363 [P].2010-09-28.

[4]XIAO D Y，CHI M H，YUAN D，et al.A novel accumulation mode GAAC FinFET transistor：Device analysis，3D TCAD simulation and fabrication [J].ECS Transactions，2009，18（1）：83-88.

[5]肖德元，王曦，俞跃辉，等.一种新型混合晶向积累型圆柱体共包围栅互补金属氧化物场效应晶体管[J].科学通报，2009，54（14）：2051-2059.

[6]肖德元，张汝京.无结场效应管：新兴的后CMOS器件研究进展[J].固体电子学研究与进展，2016，36（2）：87-98.

[7]洁净厂房设计规范：GB 50073—2013 [S].北京：中国计划出版社，2013.

[8]范存养，徐文华，林忠平.微电子工业空气洁净技术的若干进展[J].暖通空调，2001，05：30-38.

[9]陈霖新，等.洁净厂房设计与施工[M].北京：化学工业出版社，2002.