3.4.2 切断

根据不同的目的和需求，按一定的角度或方向对硅单晶锭进行切割或切断的过程，称为晶锭切断。

晶锭切断的主要目的是为了切除整根单晶硅棒的头部（包括籽晶和放肩部分）、尾部及直径小于规格要求的部分；将单晶硅切割成具有一定长度的晶棒，以适合切片机进行切片处理；对单晶硅切取样片，用于检测电阻率、氧和碳含量、晶体缺陷等质量参数。

早期加工直径为150mm及以下的单晶硅时，晶锭切断较多采用外圆切割和内圆切割技术。随着IC工艺和技术的发展，单晶硅的直径不断增大，外圆切割和内圆切割受到其刀片直径尺寸和机械强度等限制，逐渐被带锯切割技术取代。在直径为200mm和300mm单晶硅及抛光片的生产中，广泛采用先进的带锯切割技术并使用相应的设备进行晶锭切断，如图3.12所示。

图3.12 晶锭切断示意图