2.1.3 多子和少子

前面所介绍的材料非常完美，但实际上并非是完美的。这是因为在材料内部，由热激发会产生电子和空穴，所以不完美的N型半导体材料也存在空穴。因此，在N型半导体中电子是多数载流子 （多子），空穴是少数载流子 （少子）；同样，在P型半导体中空穴是多数载流子 （多子），电子是少数载流子 （少子）。在半导体中，掺杂和施加能量可以产生电子和空穴 （载流子），但电子和空穴 （载流子） 也可以因为复合而消失。任何热平衡状态的偏离，都会改变半导体中电子和空穴的浓度；任何能量 （温度或光） 的增加，都会增加电子和空穴的热产生率；它们的浓度随着时间而改变，直到达到新的平衡。电子-空穴产生和复合过程，如图2.3所示。

图2.3 电子-空穴产生与复合过程