前面介绍了PN结二极管的静态行为。然而，实际二极管表现出电容效应。为了得到二极管电路的时间相关的响应，在高频模型中需要考虑电容效应的问题。读者已经看到，在反向偏置的PN结二极管中存在耗尽层，即存在载流子耗尽的区域，将两个导电性相对良好的区域分开。从本质上看，它是一个硅作为电介质的平行板电容器。此外，正向偏置条件下还存在大量的少数载流子的注入。因此，有两种类型的电容：耗尽电容和扩散电容。
