2　化学气相沉积

化学气相沉积是一种化学气相生长法。简称CVD（ChemicalVaporDeposition）技术。它是将含有组成薄膜元素的一种或几种化合物气化后输送到基片，借助加热、等离子体、紫外线或激光等作用，在基片表面进行化学反应（热分解或化学合成）生成所需薄膜的一种方法。由于CVD是一种化学反应方法，可用来制备多种薄膜，如各种单晶、多晶、非晶，单相或多相薄膜。CVD的用途很广，如用于微电子方面的Si3N4,SiO2,AlN,GaAs,InP等薄膜，用于结构材料方面的许多硬质膜，如Al2O3,TiN,TiC,Ti（CN）,金刚石膜等，还有光学材料（光学纤维）、医用材料等，以及反应堆材料,宇航材料,防腐抗蚀、耐热耐磨膜层。